Name: SIZF360DT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIZF360DT-T1-GE3TR-ND
Price: 2.232 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIZF360DT-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIZF360DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZF360DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIZF360DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIZF360DT-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 23A 6POWERPAIR
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc), 4,3W (Ta), 78W (Tc) Oberflächenmontage 6-PowerPair™
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIZF360DT-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-kanal (dual), schottky
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	23A (Ta), 83A (Tc), 34A (Ta), 143A (Tc)
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,5mOhm bei 10A, 10V, 1,9mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22nC bei 10V, 62nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1100pF bei 15V, 3150pF bei 15V
Leistung - Max.	3,8W (Ta), 52W (Tc), 4,3W (Ta), 78W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	6-PowerPair™
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-PowerPair™
Basis-Produktnummer	SIZF360