Vom Hersteller empfohlen

SIZ328DT-T1-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIZ328DT-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIZ328DT-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIZ328DT-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 11.1A 8PWR33 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | MOSFETs - Arrays 25V 11,1 A (Ta), 25,3 A (Tc), 15 A (Ta), 30 A (Tc) 2,9W (Ta), 15W (Tc), 3,6W (Ta), 16,2W (Tc) Oberflächenmontage 8-Power33 (3x3) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA |
Hersteller Vishay Siliconix | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 6,9nC bei 10V, 11,3nC bei 10V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 325pF bei 10V, 600pF bei 10V |
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) | Leistung - Max. 2,9W (Ta), 15W (Tc), 3,6W (Ta), 16,2W (Tc) |
Status der Komponente Obsolet | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie MOSFET (Metalloxid) | Montagetyp Oberflächenmontage |
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach) | Gehäuse / Hülle 8-PowerWDFN |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V | Gehäusetyp vom Lieferanten 8-Power33 (3x3) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11,1 A (Ta), 25,3 A (Tc), 15 A (Ta), 30 A (Tc) | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 15mOhm bei 5A, 10V, 10mOhm bei 5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| SIZ342BDT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 5 300 | 742-SIZ342BDT-T1-GE3CT-ND | € 1,07000 | Vom Hersteller empfohlen |


