Name: SISS63DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.788 EUR
Availability: OutOfStock

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SISS63DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SISS63DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISS63DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISS63DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISS63DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 20 V 35,1A (Ta), 127,5A (Tc) 5W (Ta), 65,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8S
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISS63DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 1,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 236 nC @ 8 V
Serie TrenchFET® Gen III	Vgs (Max.) ±12V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7080 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 65,8W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8S
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 35,1A (Ta), 127,5A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8S
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 2,5V, 10V	Basis-Produktnummer SISS63
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,7mOhm bei 15A, 10V