Name: SISH625DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH625DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.212 EUR
Availability: InStock

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SISH625DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISH625DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISH625DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISH625DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISH625DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 30 V 17,3A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SH
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 126 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4427 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
FET-Typ P-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8SH
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 17,3A (Ta), 35A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8SH
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SISH625
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7mOhm bei 15A, 10V

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