Name: SISH410DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH410DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.752 EUR
Availability: InStock

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SISH410DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISH410DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISH410DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISH410DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISH410DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 22 A (Ta), 35 A (Tc) 3,8W (Ta), 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SH
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISH410DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 41 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1600 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 52W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8SH
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22 A (Ta), 35 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8SH
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SISH410
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,8mOhm bei 20A, 10V