Name: SISF04DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.208 EUR
Availability: InStock

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SISF04DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SISF04DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISF04DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISF04DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISF04DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 30A PWRPAK1212
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 30A (Ta), 108A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8SCD
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISF04DN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 250µA
Hersteller Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 60nC bei 10V
Serie TrenchFET® Gen IV	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2600pF bei 15V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Konfiguration N-Kanal (zweifach), gemeinsamer Drain	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8SCD
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8SCD
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30A (Ta), 108A (Tc)	Basis-Produktnummer SISF04
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4mOhm bei 7A, 10V