Name: SISA18BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISA18BDN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.26 EUR
Availability: InStock

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SISA18BDN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SISA18BDN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SISA18BDN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SISA18BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISA18BDN-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3,2W (Ta), 36,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8PT
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 19 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max.) +20V, -16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 680 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,2W (Ta), 36,8W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8PT
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18A (Ta), 60A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerWDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SISA18
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,83mOhm bei 10A, 10V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,05000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,26000

SISA18BDN-T1-GE3