Name: SISA12ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISA12ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.656 EUR
Availability: InStock

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SISA12ADN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SISA12ADN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SISA12ADN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SISA12ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SISA12ADN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 25 A (Tc) 3,5W (Ta), 28W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SISA12ADN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 45 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) +20V, -16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2070 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,5W (Ta), 28W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 25 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SISA12
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,3mOhm bei 10A, 10V