Name: SIS932EDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS932EDN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.996 EUR
Availability: InStock

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SIS932EDN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIS932EDN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIS932EDN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIS932EDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIS932EDN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 30V 6 A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8 Dual
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIS932EDN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays	Vgs(th) (max.) bei Id 1,4V bei 250µA
Hersteller Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 14nC bei 4,5V
Serie TrenchFET®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1000pF bei 15V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Leistung - Max. 2,6W (Ta), 23W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Konfiguration 2 N-Kanal (zweifach)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8 Dual
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8 Dual
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 6 A (Tc)	Basis-Produktnummer SIS932
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 22mOhm bei 10A, 4,5V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)