Name: SIS112LDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS112LDN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.152 EUR
Availability: InStock

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SIS112LDN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIS112LDN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIS112LDN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIS112LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIS112LDN-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 3,5A (Ta), 8,8A (Tc) 3,2W (Ta), 19,8W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIS112LDN-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 119mOhm bei 3,5A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11.8 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 355 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,2W (Ta), 19,8W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 3,5A (Ta), 8,8A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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SIS112LDN-T1-GE3