Name: SIS110DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS110DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.272 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIS110DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIS110DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIS110DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIS110DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIS110DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 5,2 A (Ta), 14,2 A (Tc) 3,2W (Ta), 24W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 550 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,2W (Ta), 24W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 5,2 A (Ta), 14,2 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIS110
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 54mOhm bei 4A, 10V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Auf Lager: 16 821

Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen

Menge

Alle Preise in EUR

Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)