Name: SIS106DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS106DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.944 EUR
Availability: InStock

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SIS106DN-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIS106DN-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIS106DN-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIS106DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIS106DN-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 9.8A/16A PPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 9,8 A (Ta), 16 A (Tc) 3,2W (Ta), 24W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 1212-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 13.5 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 540 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,2W (Ta), 24W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 1212-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 9,8 A (Ta), 16 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 1212-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIS106
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 18,5mOhm bei 4A, 10V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,62000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,94400

SIS106DN-T1-GE3