Name: SIRA00DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA00DP-T1-RE3-ND
Price: 0.72319 EUR
Availability: OutOfStock

N-Kanal 30 V 100 A (Tc) 104W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8

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SIRA00DP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	SIRA00DP-T1-RE3-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIRA00DP-T1-RE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 100 A (Tc) 104W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,2V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 220 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) +20V, -16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11700 pF @ 15 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 104W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 100 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIRA00
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1mOhm bei 20A, 10V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)