Name: SIR880BDP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR880BDP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.16 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIR880BDP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIR880BDP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIR880BDP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIR880BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR880BDP-T1-RE3
Beschreibung	N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 18,6A (Ta), 70,6A (Tc) 5W (Ta), 71,4W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIR880BDP-T1-RE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,5mOhm bei 10A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 2,4V bei 250µA
Serie TrenchFET® Gen IV	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 66 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2930 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 71,4W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18,6A (Ta), 70,6A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8