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N-Kanal 20 V 30 A (Tc) 4,6W (Ta), 27,7W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
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SIR802DP-T1-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIR802DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer
SIR802DP-T1-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 20 V 30 A (Tc) 4,6W (Ta), 27,7W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
2,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
1,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1785 pF @ 10 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
4,6W (Ta), 27,7W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PowerPAK® SO-8
Gehäuse / Hülle
PowerPAK® SO-8
Basis-Produktnummer
SIR802
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