SIR788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

SIR788DP-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Vishay Siliconix

Vorrätig: 5 439

Stückpreis : € 3,55000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIR788DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIR788DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR788DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 60 A (Tc) 5W (Ta), 48W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 75 nC @ 10 V
Serie SkyFET®, TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2873 pF @ 15 V
Status der Komponente Obsolet	FET-Merkmal Schottky-Diode (Körper)
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 48W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,4mOhm bei 20A, 10V	Basis-Produktnummer SIR788