SIR640DP-T1-GE3 Vishay Siliconix | Einzelne FETs, MOSFETs

SIR640DP-T1-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Vishay Siliconix

Vorrätig: 5 096

Stückpreis : € 2,41000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIR640DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIR640DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR640DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 60 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,3V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 113 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4930 pF @ 20 V
Status der Komponente Obsolet	Verlustleistung (max.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 60 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIR640
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,7mOhm bei 20A, 10V

Fehlerhafte Produktinformationen melden

Dokumente und Medien

Umwelt- und Exportklassifikationen

Zusätzliche Ressourcen

Ersatzartikel (1)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
SIR640ADP-T1-GE3	Vishay Siliconix	5 096	SIR640ADP-T1-GE3CT-ND	€ 2,41000	Ähnlich

Obsolet

Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.

SIR640DP-T1-GE3