Name: SIR616DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR616DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.208 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIR616DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIR616DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIR616DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIR616DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR616DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 20.2A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 20,2 A (Tc) 52W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 28 nC @ 7.5 V
Serie ThunderFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1450 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 52W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 20,2 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIR616
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 50,5mOhm bei 10A, 10V