Name: SIR5607DP-T1-UE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5607DP-T1-UE3TR-ND
Price: 1.33304 EUR
Availability: OutOfStock

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SIR5607DP-T1-RE3

Vishay Siliconix

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P-Kanal 60 V 22,2A (Ta), 90,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8

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SIR5607DP-T1-UE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIR5607DP-T1-UE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR5607DP-T1-UE3
Beschreibung	P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 22,2A (Ta), 90,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
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Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 7mOhm bei 20A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 2,6V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 112 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5020 pF @ 30 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 22,2A (Ta), 90,9A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
SIR5607DP-T1-RE3	Vishay Siliconix	47 057	742-SIR5607DP-T1-RE3CT-ND	€ 3,24000	Parametrisches Äquivalent

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