Name: SIR510DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR510DP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.492 EUR
Availability: InStock

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SIR510DP-T1-RE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIR510DP-T1-RE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIR510DP-T1-RE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIR510DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR510DP-T1-RE3
Beschreibung	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 31A (Ta), 126A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3,6mOhm bei 20A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Serie TrenchFET® Gen V	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 81 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4980 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 31A (Ta), 126A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8