Name: SIR424DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR424DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.584 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIR424DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIR424DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIR424DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIR424DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR424DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 30 A (Tc) 4,8W (Ta), 41,7W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIR424DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1250 pF @ 10 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 4,8W (Ta), 41,7W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIR424
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 5,5mOhm bei 20A, 10V