Name: SIR422DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR422DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.872 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIR422DP-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIR422DP-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIR422DP-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIR422DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIR422DP-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 40 A (Tc) 5W (Ta), 34,7W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® SO-8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIR422DP-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 48 nC @ 10 V
Serie TrenchFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1785 pF @ 20 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 5W (Ta), 34,7W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® SO-8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 40 A (Tc)	Gehäuse / Hülle PowerPAK® SO-8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer SIR422
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,6mOhm bei 20A, 10V