Name: SIJH5800E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH5800E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.776 EUR
Availability: InStock

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SIJH5800E-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIJH5800E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIJH5800E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIJH5800E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIJH5800E-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 30A (Ta), 302A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIJH5800E-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,35mOhm bei 20A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 155 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7730 pF @ 40 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 30A (Ta), 302A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 8 x 8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 8 x 8