Name: SIJH5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.5 EUR
Availability: InStock

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SIJH5100E-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIJH5100E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIJH5100E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIJH5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIJH5100E-T1-GE3
Beschreibung	N-CHANNEL 100 V (D-S) 175C MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	55 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 28A (Ta), 277A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIJH5100E-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,89mOhm bei 20A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Serie TrenchFET®	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 128 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6900 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,3W (Ta), 333W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 28A (Ta), 277A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 8 x 8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7,5V, 10V	Gehäuse / Hülle PowerPAK® 8 x 8

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

* Für alle Digi-Reel-Bestellungen wird eine Rollgebühr von € 5,50 erhoben.

Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
2 000	€ 2,37972	€ 4.759,44

Standardverpackung des Herstellers

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Stückpreis mit MwSt.:	€ 7,50000

SIJH5100E-T1-GE3