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SIHW47N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHW47N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHW47N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 47A TO247AD |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 47 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 273 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5682 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 417W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AD |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 72mOhm bei 24A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH072N60F | onsemi | 41 669 | FCH072N60F-ND | € 8,85000 | Ähnlich |
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | 6 480 | 448-IPW60R080P7XKSA1-ND | € 5,60000 | Ähnlich |
| IXFR80N60P3 | IXYS | 0 | IXFR80N60P3-ND | € 13,46187 | Ähnlich |
| STW43N60DM2 | STMicroelectronics | 600 | 497-16343-5-ND | € 6,81000 | Ähnlich |
| STW50N65DM2AG | STMicroelectronics | 430 | 497-16138-5-ND | € 6,67000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 480 | € 3,43679 | € 1.649,66 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,43679 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,12415 |





