Parametrisches Äquivalent
Ähnlich

SIHU7N60E-E3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIHU7N60E-E3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHU7N60E-E3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 7A TO251 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Durchkontaktierung TO-251AA |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHU7N60E-E3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 40 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 680 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 78W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-251AA |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 600mOhm bei 3,5A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHU7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 2 240 | 742-SIHU7N60E-GE3-ND | € 2,33000 | Parametrisches Äquivalent |
| IPSA70R600P7SAKMA1 | Rochester Electronics, LLC | 3 550 | 2156-IPSA70R600P7SAKMA1-ND | € 0,75000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 3 000 | € 0,70754 | € 2.122,62 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 0,70754 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 0,84905 |



