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SIHP28N65EF-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHP28N65EF-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHP28N65EF-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 28 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 28 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHP28N65EF-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 146 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3249 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 250W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 117mOhm bei 14A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP099N60E | onsemi | 243 | FCP099N60E-ND | € 5,64000 | Ähnlich |
| IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP60R099C7XKSA1-ND | € 5,25000 | Ähnlich |
| IPP60R099CPXKSA1 | Infineon Technologies | 1 375 | IPP60R099CPXKSA1-ND | € 6,69000 | Ähnlich |
| STP40N65M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15561-5-ND | € 5,55000 | Ähnlich |
| TK25E60X,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK25E60XS1X-ND | € 5,68000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 000 | € 2,46577 | € 2.465,77 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,46577 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,95892 |






