N-Kanal 800 V 20 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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SIHP24N80AEF-GE3

DigiKey-Teilenr.
742-SIHP24N80AEF-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP24N80AEF-GE3
Beschreibung
EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Standardlieferzeit des Herstellers
28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 20 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHP24N80AEF-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
195mOhm bei 10A, 10V
Herst.
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Serie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
90 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1889 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 1 000
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,56000€ 4,56
10€ 3,02600€ 30,26
100€ 2,15590€ 215,59
500€ 1,78512€ 892,56
1 000€ 1,66607€ 1.666,07
2 000€ 1,56601€ 3.132,02
5 000€ 1,56063€ 7.803,15
Standardverpackung des Herstellers
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