N-Kanal 800 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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SIHP24N80AE-GE3

DigiKey-Teilenr.
742-SIHP24N80AE-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHP24N80AE-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
89 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1836 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
184mOhm bei 10A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 1 861
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 3,93000€ 3,93
10€ 2,58700€ 25,87
100€ 1,82680€ 182,68
500€ 1,50236€ 751,18
1 000€ 1,39818€ 1.398,18
2 000€ 1,31062€ 2.621,24
5 000€ 1,27591€ 6.379,55
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 3,93000
Stückpreis mit MwSt.:€ 4,71600