Name: SIHH080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHH080N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 6.468 EUR
Availability: InStock

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SIHH080N60E-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHH080N60E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIHH080N60E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIHH080N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHH080N60E-T1-GE3
Beschreibung	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 32 A (Tc) 184W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 80mOhm bei 17A, 10V
Herst. Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Serie E	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 63 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±30V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2557 pF @ 100 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 184W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 32 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 8 x 8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN

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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
3 000	€ 1,95583	€ 5.867,49

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SIHH080N60E-T1-GE3