Name: SIHH068N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 10.032 EUR
Availability: InStock

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SIHH068N60E-T1-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHH068N60E-T1-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SIHH068N60E-T1-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SIHH068N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHH068N60E-T1-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 34A PPAK 8 X 8
Standardlieferzeit des Herstellers	22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 34 A (Tc) 202W (Tc) Oberflächenmontage PowerPAK® 8 x 8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SIHH068N60E-T1-GE3 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 80 nC @ 10 V
Serie E	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2650 pF @ 100 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 202W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PowerPAK® 8 x 8
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 34 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer SIHH068
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 68mOhm bei 15A, 10V