N-Kanal 600 V 60 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
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SIHG73N60AE-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHG73N60AE-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHG73N60AE-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 60 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
394 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5500 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm bei 36,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 10,78000€ 10,78
25€ 6,61640€ 165,41
100€ 5,62800€ 562,80
500€ 4,88162€ 2.440,81
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 10,78000
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