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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHG35N60E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHG35N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHG35N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 32 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 132 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2760 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 250W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 94mOhm bei 17A, 10V |
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Ersatzartikel (11)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCH35N60 | onsemi | 0 | FCH35N60-ND | € 0,00000 | Ähnlich |
| FCH47N60-F133 | onsemi | 352 | 488-FCH47N60-F133-ND | € 11,25000 | Ähnlich |
| IPW60R070C6FKSA1 | Infineon Technologies | 1 632 | 448-IPW60R070C6FKSA1-ND | € 8,15000 | Ähnlich |
| IPW65R080CFDAFKSA1 | Infineon Technologies | 567 | IPW65R080CFDAFKSA1-ND | € 7,61000 | Ähnlich |
| IPW65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | 198 | 448-IPW65R095C7XKSA1-ND | € 6,11000 | Ähnlich |
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Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 6,57000 | € 6,57 |
| 10 | € 4,44300 | € 44,43 |
| 100 | € 3,23940 | € 323,94 |
| 500 | € 2,72638 | € 1.363,19 |
| 1 000 | € 2,56176 | € 2.561,76 |
| 2 000 | € 2,54545 | € 5.090,90 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 6,57000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 7,88400 |
