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N-Kanal 800 V 12 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHG11N80E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHG11N80E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHG11N80E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 12 A (Tc) 179W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
88 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1670 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
179W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
440mOhm bei 5,5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (8)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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