Name: SIHF9Z24STRR-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHF9Z24STRR-GE3TR-ND
Price: 1.764 EUR
Availability: InStock

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SIHF9Z24STRR-GE3
DigiKey-Teilenr.	742-SIHF9Z24STRR-GE3TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 742-SIHF9Z24STRR-GE3CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 742-SIHF9Z24STRR-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHF9Z24STRR-GE3
Beschreibung	MOSFET P-CHANNEL 60V
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 11 A (Tc) 3,7W (Ta), 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Vishay Siliconix	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 19 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 570 pF @ 25 V
FET-Typ P-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,7W (Ta), 60W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 11 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 280mOhm bei 6,6A, 10V

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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)

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SIHF9Z24STRR-GE3