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Parametrisches Äquivalent


Vishay Siliconix
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Stückpreis : € 0,81133
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Rohm Semiconductor
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Rohm Semiconductor
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 2,13494
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Infineon Technologies
Vorrätig: 217
Stückpreis : € 2,47000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 1 272
Stückpreis : € 1,66000
Datenblatt
N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
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SIHF7N60E-E3

DigiKey-Teilenr.
SIHF7N60E-E3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHF7N60E-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
40 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
680 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
31W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220 voller Pack
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 3,5A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (21)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
SIHF7N60E-GE3Vishay Siliconix0SIHF7N60E-GE3-ND€ 0,81133Parametrisches Äquivalent
AOTF12N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.0AOTF12N60-ND€ 0,76649Ähnlich
AOTF12T60PLAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1692-5-ND€ 0,00000Ähnlich
AOTF7S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1521-5-ND€ 0,00000Ähnlich
FCPF7N60onsemi0FCPF7N60-ND€ 0,00000Ähnlich
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Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,84000€ 2,84
10€ 1,84400€ 18,44
100€ 1,27770€ 127,77
500€ 1,03546€ 517,73
1 000€ 0,95759€ 957,59
2 000€ 0,89215€ 1.784,30
5 000€ 0,82228€ 4.111,40
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Stückpreis mit MwSt.:€ 3,40800