


SIHF640S-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIHF640S-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHF640S-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 28 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 3,1W (Ta), 130W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 70 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±20V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1300 pF @ 25 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 3,1W (Ta), 130W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,58000 | € 2,58 |
| 10 | € 1,66500 | € 16,65 |
| 100 | € 1,14660 | € 114,66 |
| 500 | € 0,92472 | € 462,36 |
| 1 000 | € 0,85341 | € 853,41 |
| 2 000 | € 0,79346 | € 1.586,92 |
| 5 000 | € 0,72863 | € 3.643,15 |
| 10 000 | € 0,71749 | € 7.174,90 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,58000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 3,09600 |

