N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 3,1W (Ta), 130W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 3,1W (Ta), 130W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHF640S-GE3

DigiKey-Teilenr.
742-SIHF640S-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHF640S-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 18 A (Tc) 3,1W (Ta), 130W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
70 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1300 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
3,1W (Ta), 130W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 11A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 2,58000€ 2,58
10€ 1,66500€ 16,65
100€ 1,14660€ 114,66
500€ 0,92472€ 462,36
1 000€ 0,85341€ 853,41
2 000€ 0,79346€ 1.586,92
5 000€ 0,72863€ 3.643,15
10 000€ 0,71749€ 7.174,90
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