Name: SIHF22N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHF22N60E-GE3-ND
Price: 5.136 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHF22N60E-GE3
DigiKey-Teilenr.	SIHF22N60E-GE3-ND
Hersteller	Vishay Siliconix
Hersteller-Teilenummer	SIHF22N60E-GE3
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers	25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 21 A (Tc) 35W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Vishay Siliconix
Serie	E
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	180mOhm bei 11A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	86 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1920 pF @ 100 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	35W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220 voller Pack
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 voller Pack
Basis-Produktnummer	SIHF22

Fragen und Antworten zum Produkt

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50	€ 2,22500	€ 111,25
100	€ 2,02570	€ 202,57
500	€ 1,67658	€ 838,29
1 000	€ 1,56546	€ 1.565,46

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