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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHF12N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHF12N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHF12N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 voller Pack |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 70 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1224 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 33W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220 voller Pack |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 380mOhm bei 6A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 2,97000 | € 2,97 |
| 50 | € 1,48960 | € 74,48 |
| 100 | € 1,34540 | € 134,54 |
| 500 | € 1,09260 | € 546,30 |
| 1 000 | € 1,01137 | € 1.011,37 |
| 2 000 | € 0,94310 | € 1.886,20 |
| 5 000 | € 0,87646 | € 4.382,30 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 2,97000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 3,56400 |
