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Datenblatt
N-Kanal 6 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHD6N62E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHD6N62E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHD6N62E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 6A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 6 A (Tc) 78W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
34 nC @ 10 V
Herst.
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
578 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
78W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
900mOhm bei 3A, 10V
Basis-Produktnummer
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (8)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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