
SIHD180N60E-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIHD180N60E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHD180N60E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA |
Standardlieferzeit des Herstellers | 15 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) Oberflächenmontage DPAK |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1080 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 156W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten DPAK |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 195mOhm bei 9,5A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| TSM60NE285CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 4 975 | 1801-TSM60NE285CPROGCT-ND | € 3,38000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,51000 | € 3,51 |
| 10 | € 2,29900 | € 22,99 |
| 100 | € 1,61240 | € 161,24 |
| 500 | € 1,31932 | € 659,66 |
| 1 000 | € 1,22516 | € 1.225,16 |
| 3 000 | € 1,10573 | € 3.317,19 |
| 6 000 | € 1,09531 | € 6.571,86 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,51000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,21200 |

