TO-263-3
cms-photo-disclaimer
TO-263-3
TO-263-3

SIHB30N60E-GE3

cms-digikey-product-number
SIHB30N60E-GE3-ND
cms-manufacturer
Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number
SIHB30N60E-GE3
cms-description
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
cms-standard-lead-time
25 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description
N-Kanal 600 V 29 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
cms-product-attributes
cms-type
cms-description
cms-select-all
cms-category
Herst.
Vishay Siliconix
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
29 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
125mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2600 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle
TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer
SIHB30
cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

Auf Lager: 507
cms-incoming-leadtime-link
cms-quantity
cms-all-prices-in-currency
Stange
cms-quantityStückpreis cms-ext-price
1€ 5,81000€ 5,81
50€ 3,10380€ 155,19
100€ 2,84240€ 284,24
500€ 2,38484€ 1.192,42
1 000€ 2,35358€ 2.353,58
cms-manufacturer-standard-package
Hinweis: Aufgrund der Mehrwertdienste von DigiKey kann sich die Verpackungsart ändern, wenn das Produkt in Mengen unterhalb der Standardverpackungsmenge gekauft wird.
Stückpreis ohne MwSt.:€ 5,81000
Stückpreis mit MwSt.:€ 6,97200
Folgendes könnte für Sie ebenfalls von Interesse seincms-see-all
2 Artikel
SIHB100N60E-GE3

SIHB100N60E-GE3

MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK

Vishay Siliconix

€ 5,08000
ISL9V5045S3ST-F085

ISL9V5045S3ST-F085

IGBT 480V 51A TO-263

onsemi

€ 4,97000