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Verfügbare Ersatzkomponenten:

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Vorrätig: 800
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Vorrätig: 0
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Datenblatt
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SIHB24N65EF-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHB24N65EF-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHB24N65EF-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
28 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 24 A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHB24N65EF-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
122 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2774 pF @ 100 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
156mOhm bei 12A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (7)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
AOB25S65LAlpha & Omega Semiconductor Inc.800785-1539-1-ND€ 4,80000Ähnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 6,08000€ 6,08
50€ 3,24340€ 162,17
100€ 2,96990€ 296,99
500€ 2,49098€ 1.245,49
1 000€ 2,33728€ 2.337,28
2 000€ 2,29473€ 4.589,46
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:€ 6,08000
Stückpreis mit MwSt.:€ 7,29600