Direkter Ersatz
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SIHB22N65E-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB22N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB22N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHB22N65E-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 110 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2415 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 227W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1 795 | FCB20N60FTMCT-ND | € 5,97000 | Direkter Ersatz |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | € 4,39000 | Ähnlich |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1 095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | € 3,60000 | Ähnlich |
| IPB60R190C6ATMA1 | Infineon Technologies | 10 560 | IPB60R190C6ATMA1CT-ND | € 3,37000 | Ähnlich |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | € 5,98000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,83791 | € 1.837,91 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,83791 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,20549 |







