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Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 1 795
Stückpreis : € 5,97000
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onsemi
Vorrätig: 578
Stückpreis : € 4,39000
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Vorrätig: 1 095
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Vorrätig: 819
Stückpreis : € 3,88000
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Vorrätig: 3 954
Stückpreis : € 5,01000
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Vorrätig: 487
Stückpreis : € 3,21000
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Vorrätig: 688
Stückpreis : € 6,49000
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STMicroelectronics
Vorrätig: 1 905
Stückpreis : € 2,38000
Datenblatt
N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB22N65E-GE3

DigiKey-Teilenr.
SIHB22N65E-GE3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHB22N65E-GE3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 227W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHB22N65E-GE3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2415 pF @ 100 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
180mOhm bei 11A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (12)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
FCB20N60FTMonsemi1 795FCB20N60FTMCT-ND€ 5,97000Direkter Ersatz
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