Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich
Ähnlich

SIHB22N60AE-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB22N60AE-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB22N60AE-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 24 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 20 A (Tc) 179W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SIHB22N60AE-GE3 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 96 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1451 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 179W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FCB20N60FTM | onsemi | 1 795 | FCB20N60FTMCT-ND | € 5,97000 | Ähnlich |
| IPB60R160C6ATMA1 | Infineon Technologies | 1 095 | IPB60R160C6ATMA1CT-ND | € 3,60000 | Ähnlich |
| IPB60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | 2 025 | IPB60R180P7ATMA1CT-ND | € 2,65000 | Ähnlich |
| IPB60R199CPATMA1 | Infineon Technologies | 3 075 | IPB60R199CPATMA1CT-ND | € 3,56000 | Ähnlich |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | € 6,65000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,81799 | € 1.817,99 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,81799 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,18159 |









