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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHB21N65EF-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB21N65EF-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB21N65EF-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 28 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 21 A (Tc) 208W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 106 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2322 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 208W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 180mOhm bei 11A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 5,36000 | € 5,36 |
| 50 | € 2,82620 | € 141,31 |
| 100 | € 2,58170 | € 258,17 |
| 500 | € 2,15328 | € 1.076,64 |
| 1 000 | € 2,01577 | € 2.015,77 |
| 2 000 | € 1,93990 | € 3.879,80 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 5,36000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 6,43200 |
