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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHB186N60EF-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 742-SIHB186N60EF-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB186N60EF-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 8.4A D2PAK |
Standardlieferzeit des Herstellers | 26 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 8,4 A (Tc) 156W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 32 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1081 pF @ 100 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 156W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 193mOhm bei 9,5A, 10V |
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Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 3,62000 | € 3,62 |
| 50 | € 1,83980 | € 91,99 |
| 100 | € 1,66770 | € 166,77 |
| 500 | € 1,36596 | € 682,98 |
| 1 000 | € 1,26904 | € 1.269,04 |
| 2 000 | € 1,18759 | € 2.375,18 |
| 5 000 | € 1,13941 | € 5.697,05 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 3,62000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 4,34400 |
