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SIHB15N65E-GE3 | |
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DigiKey-Teilenr. | SIHB15N65E-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB15N65E-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 15A TO263 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 22 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 15 A (Tc) 34W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 96 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1640 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 34W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 280mOhm bei 8A, 10V | Basis-Produktnummer |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA18N60X | IXYS | 0 | IXFA18N60X-ND | € 4,04983 | Ähnlich |
| STB25N80K5 | STMicroelectronics | 1 037 | 497-13640-1-ND | € 5,38000 | Ähnlich |
| TK14G65W,RQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 1 214 | TK14G65WRQCT-ND | € 3,42000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 000 | € 1,70192 | € 1.701,92 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 1,70192 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 2,04230 |




