SIHB12N50C-E3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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N-Kanal 500 V 12 A (Tc) 208W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 500 V 12 A (Tc) 208W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N50C-E3

DigiKey-Teilenr.
SIHB12N50C-E3-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SIHB12N50C-E3
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 12 A (Tc) 208W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SIHB12N50C-E3 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
48 nC @ 10 V
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Vgs (Max.)
±30V
Status der Komponente
Obsolet
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1375 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Montagetyp
Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263 (D2PAK)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
555mOhm bei 4A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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