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SIHB10N40D-GE3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Vom Hersteller empfohlen
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SIHB10N40D-GE3 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | SIHB10N40D-GE3-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SIHB10N40D-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 400V 10A TO263 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 400 V 10 A (Tc) 147W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 30 nC @ 10 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) ±30V |
Status der Komponente Obsolet | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 526 pF @ 100 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 147W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V | Montagetyp Oberflächenmontage |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263 (D2PAK) |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 600mOhm bei 5A, 10V | Basis-Produktnummer |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
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